Halbleiter-Gehäuse

Innovative Lösungen durch Finite-Element-Methode

LAPP Insulators Alumina entwickelt und fertigt für Sie leistungsstarke vakuumdichte Halbleitergehäuse in Größen von 1 bis 6 Zoll. Bei diesen Keramik-Metall-Verbundbauteilen wird Aluminiumoxid mit Nickel-Eisen-Legierungen oder nicht-ferromagnetisches Kupfer und Kupferlegierungen durch Löten kombiniert. Alle Gehäuse werden zu 100% auf Vakuumdichtigkeit auf eine Helium-Leckrate von 10-8 mbarL/s geprüft. Wir können Ihnen bei Kontaktstücken der Gehäuse eine Ebenheit von Mikrometer (μm) garantieren. Somit ist eine optimale Energieübertragung sicher gestellt. Um die nötige Spannungsfestigkeit zu erreichen, werden die Kriech- und Luftwege unserer Halbleitergehäuse individuell an Ihre Anforderungen angepasst.

Seit 2013 setzt LAPP Insulators Alumina sehr erfolgreich die Finite-Element-Methode (FEM) bei der Auslegung von Metall-Keramik-Verbundbauteilen ein. Dadurch konnten Entwicklungszeiten bis zu 70% verkürzt werden. Mittels FEM können zuverlässige Angaben über Spannungsverteilung, Bruchwahrscheinlichkeit und Lebensdauer der Produkte und deren Komponenten gemacht werden. Die unterschiedlichen Komponenten der Halbleitergehäuse werden schnell vergleichbar, sodass der erste Prototyp bereits mit optimiertem Design gebaut wird. Die Anzahl der Prototypen wird bereits in der Entwicklungsphase reduziert. Dies spart Zeit und Kosten. LAPP Insulators Alumina entwickelt Ihre Bauteile gemeinsam mit Ihnen bis zur Serienreife. Für die Simulation werden rund ein bis zwei Wochen veranschlagt. Die Kosten für die Simulation liegen dabei oft unter den Werkzeugkosten der Erstmuster.